Výroba polovodičů klade mimořádně vysoké požadavky na čistotu materiálu, tepelnou stabilitu, odolnost vůči plazmovému leptání a mechanickou přesnost. Díky vysoké rezistivitě (>10¹⁴ Ω•cm), vysoké tepelné vodivosti, nízké tepelné roztažnosti, vynikající dielektrické pevnosti a odolnosti vůči fluorovému plazmovému leptání se nitrid křemíku stal nepostradatelnou přesnou keramickou součástí zařízení na zpracování waferů. Ve srovnání s hliníkem a křemenem výrazně snižují komponenty z nitridu křemíku kontaminaci částic, prodlužují intervaly údržby, zlepšují výtěžnost a podporují pokročilejší procesní uzly. Současně jejich tepelná vodivost a pevnost při vysokých teplotách umožňují topným prvkům rychleji reagovat a vytvářet rovnoměrnější rozložení teplot, což pomáhá polovodičovým zařízením vyvíjet se směrem k vyššímu výkonu a nižší spotřebě energie.
Navrženo pro prostředí s vysokou teplotou a vysokou čistotou, jako je rychlé tepelné zpracování (RTP), topidla MOCVD a topné desky pro plazmové leptaře. Topné desky z nitridu křemíku lze vyrábět jako monolitické topné tělesa tiskem rezistivní pasty na vnitřek nebo povrch keramických substrátů, což nabízí vynikající tepelnou jednotnost, rychlé zahřívání, odolnost proti korozi a ochranu před kontaminací kovem. Ve srovnání s tradičními topnými prvky z nitridu křemíku nabízejí o více než 20 % vyšší tepelnou účinnost, což umožňuje přesnější kontrolu teplot procesu waferů a zároveň zabraňuje kontaminaci kovovými ionty. Jsou vhodná pro použití v náročnějších výrobních procesech polovodičů nové generace.
